[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201110005426.2 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102593302A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构，该半导体发光结构包括绝缘衬底、N型三族氮化物半导体层及P型三族氮化物半导体层，绝缘衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，该绝缘衬底包括相对设置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半导体层形成于绝缘衬底的第一表面，绝缘衬底的第二表面形成导电层，绝缘衬底内形成至少一导电柱，该至少一导电柱贯通半导体发光结构的绝缘衬底，该至少一导电柱连接N型三族氮化物半导体层与导电层。上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明还公开一种发光二极管晶粒制造方法及发光二极管封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构，该半导体发光结构包括绝缘衬底、N型三族氮化物半导体层及P型三族氮化物半导体层，绝缘衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，该绝缘衬底包括相对设置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半导体层形成于绝缘衬底的第一表面，其特征在于：绝缘衬底的第二表面形成导电层，绝缘衬底内形成至少一导电柱，该至少一导电柱贯通半导体发光结构的绝缘衬底，该至少一导电柱连接N型三族氮化物半导体层与导电层。
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