[发明专利]532nm半高斯激光束发生器有效
申请号: | 201110005840.3 | 申请日: | 2011-01-12 |
公开(公告)号: | CN102097741A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 尹亚玲;吕新杰;赵丽娜;袁烨;祝世宁 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01S3/107 | 分类号: | H01S3/107 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 532nm半高斯激光束发生器,包括泵浦光源、准直系统、柱透镜、一片侧向调制的周期性极化的光学超晶格、控温炉、对1064nm激光的滤波系统;周期性极化的光学超晶格材料为LiTaO3,周期为7.505μm,用以实现1064nm激光频率转换为532nm激光,所述超晶格的极化畴边缘在晶体的通光方向分布为e指数型;泵浦光源发出的1064nm的高斯激光入射到准直系统、经柱透镜聚焦到光学超晶格中,并且超晶格的畴边缘通过入射的泵浦光源的高斯激光束的中心;在超晶格出射光路上用1064nm激光的高反镜以及干涉滤波片构建的滤波系统滤掉出射光束中的1064nm泵浦光,得到532nm半高斯激光。其结构紧凑,体积小。 | ||
搜索关键词: | 532 nm 半高斯 激光束 发生器 | ||
【主权项】:
532nm半高斯激光束发生器,其特征是包括泵浦光源、准直系统、柱透镜、一片侧向调制的周期性极化的光学超晶格、控温炉、对1064nm激光的滤波系统;周期性极化的光学超晶格材料为LiTaO3,周期为7.505μm,用以实现1064nm激光频率转换为532nm激光,所述超晶格的极化畴边缘在晶体的通光方向分布为e指数型;泵浦光源发出的1064nm的高斯激光入射到准直系统、经柱透镜聚焦到光学超晶格中,并且超晶格的畴边缘通过入射的泵浦光源的高斯激光束的中心;在超晶格出射光路上用1064nm激光的高反镜以及干涉滤波片构建的滤波系统滤掉出射光束中的1064nm泵浦光,得到纯净的532nm半高斯激光。
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