[发明专利]一种高功率半导体激光器的设计方法有效
| 申请号： | 201110007855.3 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102097744A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 刘兴胜 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种高功率半导体激光器的设计方法，旨在解决现有技术无法同时保证芯片的绝缘性和高效散热的问题。该处理方法，包括三个处理环节：对芯片进行降低热应力处理、对芯片进行绝缘处理、对芯片进行接触式散热处理。本发明具有以下优点：导热能力强，可支持大功率半导体激光器长时间工作；通过绝缘处理使得热沉不带电，安全性高，且采用硬焊料，半导体激光器使用寿命和储存时间长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种高功率半导体激光器的设计方法，其特征在于，包括三个处理环节：对芯片进行接触式散热处理、对芯片进行降低热应力处理、对芯片进行绝缘处理。
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