[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110008002.1 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102593172A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;吴彬能;肖卫平;吴昊;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：栅叠层，所述栅叠层形成于半导体衬底上；超陡后退岛，所述超陡后退岛嵌于所述半导体衬底中且与所述栅叠层自对准；补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述超陡后退岛中，所述补偿注入区的掺杂类型与所述超陡后退岛的掺杂类型相反。利于减少发生短沟道效应的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：栅叠层，所述栅叠层形成于半导体衬底上；超陡后退岛，所述超陡后退岛嵌于所述半导体衬底中且与所述栅叠层自对准；补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述超陡后退岛中，所述补偿注入区的掺杂类型与所述超陡后退岛的掺杂类型相反。
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