[发明专利]具有外延自对准光传感器的图像传感器有效
| 申请号： | 201110008440.8 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102148231A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 顾克强;刘家颖;戴幸志;V·韦内齐亚;钱胤;D·毛 | 申请（专利权）人： | 美商豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 对准 传感器 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种图像传感器像素，包括：衬底，其经掺杂而具有第一导电型；第一外延层，其置于所述衬底之上且经掺杂而具有所述第一导电型；转移晶体管栅极，其置于所述第一外延层之上；及外延生长的光传感器区域，其置于所述第一外延层中且具有第二导电型，其中所述外延生长的光传感器区域包括在所述转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商豪威科技股份有限公司，未经美商豪威科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110008440.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
