[发明专利]高压隔离槽及其制作方法及MOS器件无效
| 申请号： | 201110008489.3 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102110708A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/76;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100041*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压隔离槽及其制作方法及MOS器件，包括延伸至晶圆的掩埋氧化层中的槽，槽的边墙注有高浓度的N+，槽内填充有多晶，多晶与槽的边墙之间填充有氧化物。采用多种复合结构填充空槽，一方面可以降低挖槽带来的应力，提高器件的性能，另一方面可以达到提高击穿电压、提高表面平坦化的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 隔离 及其 制作方法 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种高压隔离槽，其特征在于，包括延伸至晶圆的掩埋氧化层中的槽，所述槽的边墙注有高浓度的N+，所述槽内填充有多晶，所述多晶与槽的边墙之间填充有氧化物。
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