[发明专利]MOCVD反应系统

摘要

本发明公开了一种MOCVD反应系统，该反应系统包括反应腔、喷淋盘、加热基座、加热器、出气口以及温控装置，所述温控装置将所述喷淋盘的温度进行有效控制，从而有利于提高MOCVD沉积薄膜的质量，同时又减小工艺气体消耗。

主权项

一种MOCVD反应系统，用于在衬底上淀积薄膜，其特征在于，包括：反应腔；喷淋盘，设置于所述反应腔的顶部，包括一反应气体混合腔，所述喷淋盘的顶部设置有进气口，工艺气体及金属有机物源通过所述进气口进入所述反应气体混合腔，并进行混合；所述喷淋盘的底部设有多个通孔，混合后的工艺气体及金属有机物源通过所述通孔喷出；加热基座，位于所述反应腔的底部，置于一旋转轴上，所述半导体衬底置于所述加热基座上；加热器，对所述加热基座进行加热；出气口，设置在所述反应腔的底部，用于排出反应副产物；以及温控装置，将所述喷淋盘的温度控制在40～400℃。