[发明专利]具有电压极性转换的功率开关有效

专利信息
申请号: 201110009067.8 申请日: 2011-01-10
公开(公告)号: CN102594317A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 曹先国 申请(专利权)人: 曹先国
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 四川省绵阳市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种具有电压极性转换的功率开关,用于大电流功率开关转化电压极性的开关电路。特别地,它采用两套开关电路结构,一套开关电路实现常规的功率开关电路功能,即导通或截止大电流、交换电流导通方向、交换负载电压正负极;另外一套开关电路实现开关中的负载电压维持与采样开关功能,用于控制电路的正确判断和控制,这样避免了连接大功率负载的功率开关在交换电流导通方向或者电压正负极时产生大电流毛刺或者大电流短路现象,保护了电路中的器件,使控制电路正确判断和控制,保障了功率开关电路的正常工作。
搜索关键词: 具有 电压 极性 转换 功率 开关
【主权项】:
一种具有电压极性转换的功率开关,包括:功率开关管电路和电压维持与采样开关电路两部分,其中功率开关管电路包括:第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1,它的源极与节点A1相连,它的漏极与节点Vo+相连,它的栅极与控制信号VC1相连;第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2,它的源极与节点A1相连,它的漏极与节点Vo‑相连,它的栅极与控制信号VC2相连;第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3,它的源极与节点B1相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,它的栅极与控制信号VC3相连;和第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4,它的源极与节点B1相连,它的漏极与节点Vo‑相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,它的栅极与控制信号VC4相连。其中电压维持与采样开关电路包括:第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5,它的源极与节点A2相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,同时与所述第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3的漏极相连,它的栅极与控制信号VC5相连;第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6,它的源极与节点A2相连,它的漏极与节点Vo‑相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,同时与所述第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的漏极相连,它的栅极与控制信号VC6相连;第七N型金属氧化物硅MOS晶体管M7,它的源极与节点B2相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,同 时与所述第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3的漏极相连,同时与所述第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5的漏极相连,它的栅极与控制信号VC7相连;和第八N型金属氧化物硅MOS晶体管M8,它的源极与节点B2相连,它的漏极与节点Vo‑相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,同时与所述第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的漏极相连,同时与所述第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6的漏极相连,它的栅极与控制信号VC8相连。
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