[发明专利]轻掺杂漏形成方法及形成轻掺杂漏时应用的掩膜无效
| 申请号： | 201110009208.6 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102117743A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 令海洋 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种轻掺杂漏形成方法，包括：在半导体基底上形成栅氧化层和栅极；在形成栅极后的半导体基底上形成掩膜，所述掩膜覆盖所述栅极及部分所述半导体基底，暴露出所述轻掺杂漏区域所在表面；进行离子注入，形成所述轻掺杂漏，本发明还提供一种形成轻掺杂漏时应用的掩膜，所述掩膜覆盖部分半导体基底以及栅极，仅暴露出用于形成轻掺杂漏的区域，所述栅极位于栅氧化层上，所述栅氧化层位于半导体基底上。所述掩膜以及轻掺杂漏形成方法可避免离子注入工艺中掺杂粒子穿透栅极或者栅极和栅氧化层的现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 形成 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种轻掺杂漏形成方法，包括：在半导体基底上形成栅氧化层和栅极；在形成栅极后的半导体基底上形成掩膜，所述掩膜覆盖所述栅极及部分所述半导体基底，暴露出所述轻掺杂漏区域所在表面；进行离子注入，形成所述轻掺杂漏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
