[发明专利]一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110009391.X 申请日: 2011-01-17
公开(公告)号: CN102176349A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 张欣;张敏;赵勇;程翠华;张勇;王文涛;雷鸣 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B12/06
代理公司: 成都博通专利事务所 51208 代理人: 陈树明
地址: 610031 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法,涉及高温超导材料制备技术领域,该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明制备过程包括以下步骤:将乙酸锶和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,即得锶锆氧(SrZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。
搜索关键词: 一种 制备 高温 超导 涂层 导体 srzro sub 缓冲 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法,其步骤是:a、无水溶液制备:将乙酸锶和乙酰丙酮锆按锶∶锆的离子数量比等于1∶1的比例,溶解在丙酸中,形成无水溶液;b、胶体制备:在a步的无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)形成胶体;c、胶体涂敷与干燥:将b步制得的胶体涂覆在基片上,再进行干燥;d、热分解处理:将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中,并在烧结炉中通入氩气,使炉温从室温以1℃/min升至170℃‑240℃,再以0.1‑0.9℃/min的速度升至500℃‑540℃,保温0.5‑1小时;e、烧结成相:将热分解处理后的基片放入烧结炉中,先往烧结炉中通入氩气,再将炉温以40‑100℃/min的速度快速升至720℃‑800℃,保温0.5‑1小时,然后让炉温让炉自然降温至室温,得到锶锆氧(SrZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。
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