[发明专利]隔离型LDMOS的制造方法有效
| 申请号： | 201110009456.0 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102412155A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 熊涛;刘剑;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离型LDMOS的制造方法，包括步骤：在版图设计过程中，对隔离型LDMOS的漏区的离子注入版图进行变动，使漏区的离子注入区和栅极下方的浅沟槽隔离间相隔一横向距离一；在生产过程中，采用步骤一中所设计的漏区的离子注入版图进行漏区的离子注入。本发明能使漏区和栅极下方的浅沟槽隔离间没有高浓度的漏区的离子注入杂质，能够消除漏区附件的强电场，从而能提高器件的安全工作区域，且仅需变动漏区的离子注入版图，工艺简单、容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 ldmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离型LDMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在版图设计过程中，对所述隔离型LDMOS的漏区的离子注入版图进行变动，使所述漏区的离子注入区和栅极下方的浅沟槽隔离间相隔一横向距离一；步骤二、在生产过程中，采用步骤一中所设计的所述漏区的离子注入版图进行所述漏区的离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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