[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法有效
| 申请号： | 201110009623.1 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102122673A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉祥;曾世贤;洪铭钦;涂峻豪;林威廷;张钧杰 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法，该氧化物薄膜晶体管结构包含一基板、一栅极设置于基板上、一半导体绝缘层设置于基板与栅极上、一氧化物半导体层设置于半导体绝缘层上、一图案化半导体层设置于氧化物半导体层上、一源极与一漏极分别设置于图案化半导体层上，且源极与漏极为一金属层所构成。本发明所提供的氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法，是于氧化物半导体层与金属层之间添加一图案化半导体层，借此保护氧化物半导体层免于受到蚀刻液的破坏，同时可获得较低的电阻抗以形成欧姆接触，以得到较佳的电性。此外，更可减少工艺所需的光掩膜数目，同时搭配一湿式与一干式蚀刻工艺以达到降低生产成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 结构 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：一基板；一栅极，设置于该基板上；一半导体绝缘层，设置于该栅极与该基板上；一氧化物半导体层，设置于该半导体绝缘层上；一图案化半导体层，设置于该氧化物半导体层上；以及一源极与一漏极，设置于该图案化半导体层上，其中该源极与该漏极为一金属层所构成。
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