[发明专利]晶圆级半导体晶片封装方法及半导体晶片封装体有效
申请号: | 201110009918.9 | 申请日: | 2011-01-11 |
公开(公告)号: | CN102593018A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 王琮淇 | 申请(专利权)人: | 王琮淇 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/482 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶圆级半导体晶片封装方法及一种半导体晶片封装体被提供,该半导体晶片封装体的特征在于包含:半导体基体,该半导体基体具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点;一个形成在该半导体基体的形成表面上的保护层,该保护层形成有数个各曝露一对应的电气接点的曝露孔;形成于每个曝露孔之内的导电触点;及形成于每个导电触点之上的在曝露孔之外的导电触点。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 半导体 晶片 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶片封装方法,其特征在于包含:提供一个半导体晶圆,该半导体晶圆具有数个晶片区域,每个晶片区域具有一个半导体基体,每个半导体基体具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点;在所有晶片区域的半导体基体的形成表面上涂布一个光阻层,借着曝光与显影处理,该光阻层形成有数个各曝露一对应的电气接点的曝露孔;在该光阻层的每个曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点;把该光阻层移除并且在该等晶片区域的电气接点形成表面上涂布一个覆盖所有导电触点的保护层;研磨该保护层直到每个导电触点的顶部被曝露为止;在该保护层的表面上涂布一个钝化层,该钝化层透过曝光和显影处理而形成有数个各曝露一对应的导电触点的曝露孔;在该钝化层的曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于该钝化层的每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点;及把该钝化层移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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