[发明专利]一种射频功率场效应管的装配方法无效
| 申请号： | 201110020410.9 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102157389A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 孟庆南 | 申请（专利权）人： | 武汉正维电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种射频功率场效应管的装配方法，所述方法包括有如下步骤：(1)设计专用钢网；(2)设计专用工装进行限位，定位；(3)在贴片前，按照潮敏规定执行烘烤；(4)使用印刷机印锡膏于铜垫片；(5)将场效应管通过贴片机放在所述铜垫片上；(6)过回流炉进行焊接；(7)拆下场效应管后进行检验。采用本发明的一种射频功率场效应管的装配方法，可在场效应管底部焊接一块铜垫片，既保证场效应管的散热，同时又能像陶瓷管一样使用螺钉方式装配，从而降低场效应管装配的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率 场效应 装配 方法 | ||
【主权项】：
一种射频功率场效应管的装配方法，其特征在于，所述方法包括有如下步骤：(1)设计专用钢网；(2)设计专用工装进行限位，定位；(3)在贴片前，按照潮敏规定执行烘烤；(4)使用印刷机印锡膏于铜垫片；(5)将场效应管通过贴片机放在所述铜垫片上；(6)过回流炉进行焊接；(7)拆下场效应管后进行检验。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
