[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110020536.6 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102593173A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括含硅的衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构以及位于栅极结构两侧的隔离侧墙，源漏区具有镍基金属硅化物，其特征在于：在镍基金属硅化物中具有抑制镍金属扩散的掺杂离子；镍基金属硅化物/沟道区的界面处也具有掺杂离子的聚集区，聚集区位于隔离侧墙下方且未进入沟道区。分布在镍基金属硅化物里面和聚集在镍基金属硅化物/沟道界面处的掺杂离子可以阻止镍基金属硅化物的横向生长，因此可防止源漏穿通或栅极泄漏电流，从而提高器件可靠性，进一步提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括含硅的衬底、位于所述衬底中的沟道区、位于所述沟道区两侧的源漏区、位于所述沟道区上的栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的隔离侧墙，所述源漏区具有镍基金属硅化物，其特征在于：所述镍基金属硅化物中具有能抑制镍金属扩散的掺杂离子。
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