[发明专利]一种发光二极管外延生长方法无效
| 申请号： | 201110020664.0 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102136529A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 艾常涛;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种发光二极管外延生长方法，其特征在于：在多量子阱的制备过程中，在两个相邻量子阱的生长过程间加入一个高温退火步骤，具体为前一量子阱的量子垒形成后，以高于量子垒生长温度50℃以上的温度对前一量子阱的量子阱层进行退火，然后再按常规温度生长后一量子阱的量子阱层。在多量子阱生长过程中引入热处理过程，通过热退火过程改善晶格生长过程中的应变，从而提高GaN材料的生长质量，不但可以改善其ESD性能，此外，还能提高器件发光效率,改善器件综合性能，如器件良品率、可靠性等参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延生长方法，其特征在于：在多量子阱的制备过程中，在两个相邻量子阱的生长过程间加入一个高温退火步骤，具体为前一量子阱的量子垒形成后，以高于量子垒生长温度50℃以上的温度对前一量子阱的量子阱层进行退火，然后再按常规温度生长后一量子阱的量子阱层。
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