[发明专利]一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池

摘要

本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极，正面TCO导电薄膜，p型重掺杂纳米硅层，p型轻掺杂纳米硅层，p型轻扩散晶体硅层，n型晶体硅层，本征纳米硅层，n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜，背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层，在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构，能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题，增强了界面电场，减少了界面复合，提高了光伏电池的开路电压和填充因子，提高了光电转换效率。

主权项

一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池，其特征在于：电池的叠层顺序从上至下依次设置为：正面银电极、正面TCO导电薄膜、p型重掺杂纳米硅层即p+层、p型轻掺杂纳米硅层即p层、p型轻扩散晶体硅层即p‑层、n型晶体硅层、本征纳米硅层即i层、n型纳米硅层、背面TCO导电薄膜、背面银电极；或者是正面银电极、正面TCO导电薄膜、n型重掺杂纳米硅层即n+层、n型轻掺杂纳米硅层即n层、n型轻扩散晶体硅层即n‑层、p型晶体硅层、本征纳米硅层即i层、p型纳米硅层、背面TCO导电薄膜、背面银电极，其中掺杂浓度：p+层＞p层＞p‑层，n+层＞n层＞n‑层。