[发明专利]一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法无效
| 申请号： | 201110021322.0 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102608861A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;王雷;郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法，包括如下步骤：步骤1，光刻胶的旋涂、烘烤；步骤2，通过掩模版挡板定义出单个曝光区域的大小，再通过光刻机的曝光系统对硅片周边进行曝光，此次曝光无需掩模版；步骤3，常规的带掩模版的图形区域曝光；步骤4，显影，形成光刻胶图形并去除硅片周边光刻胶。该方法能提高后续刻蚀工艺的均一性，减少硅尖刺(Silicon Grass)等缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 周边 光刻 形貌 方法 | ||
【主权项】：
一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，光刻胶的旋涂、烘烤；步骤2，通过掩模版挡板定义出单个曝光区域的大小，再通过光刻机的曝光系统对硅片周边进行曝光，此次曝光无需掩模版；步骤3，常规的带掩模版的图形区域曝光；步骤4，显影，形成光刻胶图形并去除硅片周边光刻胶。
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