[发明专利]一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法无效
| 申请号： | 201110021431.2 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102063340A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孙宏滨;刘传银;闵泰;张彤;郑南宁 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F11/00 | 分类号： | G06F11/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，可有效纠正或容忍随机存写错误，实现较低的存写电压或较快的存写速度。其存写操作采用递归式“写-读-校验”技术代替传统存写操作，以纠正由于改进存写容限或存写速度导致的随机存写错误。所述“写-读-校验”技术指在将数据写入MRAM高速缓存后立即读出，并与写入数据对比；若出错，则重复“写-读-校验”操作直至所有数据位编程正确。在基于“写-读-校验”操作下，采用在MRAM高速缓存中增加错误校验码或错误记录缓存逻辑，增加MRAM高速缓存的容错能力，减少由“写-读-校验”操作带来的处理器性能下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁电 随机 存储器 高速缓存 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：其纠正随机存写错误采用递归式“写‑读‑校验”的存写操作，以“写‑读‑校验”操作为基础，利用错误校验码或错误记录缓存均一保护实现MRAM高速缓存容错。
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