[发明专利]一种高纯拟薄水铝石的制备方法无效
申请号: | 201110021780.4 | 申请日: | 2011-01-14 |
公开(公告)号: | CN102120597A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 辛秀兰;徐培力;徐培全;高玉李;徐宝财 | 申请(专利权)人: | 北京工商大学;山东浩霖石油化工科技股份有限公司 |
主分类号: | C01F7/42 | 分类号: | C01F7/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100048*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种高纯拟薄水铝石的制备方法,属于金属有机化合物合成技术领域。采用纯度大于99.5%的金属铝和C5-C8及正丁醇的混合醇,在三氯化铝和烷基苯溶剂存在下制备烷氧基铝,烷氧基铝再通过水解、老化干燥后得到高纯拟薄水铝石。本发明克服了低碳醇制备烷氧基铝纯化困难,高碳醇制备烷氧基铝反应效率低的缺点,通过控制混合醇和金属铝的比例和水解条件,能得到纯度高达99.9%拟薄水铝石,本发明的方法使高纯拟薄水铝石的制备工艺简化,制备效率高、制备成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 拟薄水铝石 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高纯拟薄水铝石,其特征在于,该拟薄水铝石的m和n满足1.4≤m≤1.8,2.0≤n≤2.5,其中m=D(140)/D(120),n=D(200)/D(120),所述D(140)表示拟薄水铝石的XRD谱图中140峰对应晶面的晶粒大小,所述D(120)表示拟薄水铝石的XRD谱图中120峰对应晶面的晶粒大小,所述D(200)表示拟薄水铝石的XRD谱图中200峰对应晶面的晶粒大小,根据Scherrer晶粒度测定公式:计算不同晶面的晶粒大小,Dhkl-垂直晶面hkl方向的平均厚度;k-衍射峰形状常数,Scherrer推导公式确定为0.89;βhkl-衍射峰半高宽,βhkl=B-b,B-实验测得的样品衍射峰半高宽;b-仪器致宽度,用晶粒度大于200nm样品与同样实验条件下测得的衍射峰的宽度(本实验中以99%325mesh的标准硅进行测定当28.2751°时b=0.1559)。λ——衍射光线波长(0.15046nm)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工商大学;山东浩霖石油化工科技股份有限公司,未经北京工商大学;山东浩霖石油化工科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110021780.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种弹性绒毛聚氨酯涂料
- 下一篇:多天线的公共基准码元的映射和信令