[发明专利]一种高纯拟薄水铝石的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110021780.4 申请日: 2011-01-14
公开(公告)号: CN102120597A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 辛秀兰;徐培力;徐培全;高玉李;徐宝财 申请(专利权)人: 北京工商大学;山东浩霖石油化工科技股份有限公司
主分类号: C01F7/42 分类号: C01F7/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100048*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种高纯拟薄水铝石的制备方法,属于金属有机化合物合成技术领域。采用纯度大于99.5%的金属铝和C5-C8及正丁醇的混合醇,在三氯化铝和烷基苯溶剂存在下制备烷氧基铝,烷氧基铝再通过水解、老化干燥后得到高纯拟薄水铝石。本发明克服了低碳醇制备烷氧基铝纯化困难,高碳醇制备烷氧基铝反应效率低的缺点,通过控制混合醇和金属铝的比例和水解条件,能得到纯度高达99.9%拟薄水铝石,本发明的方法使高纯拟薄水铝石的制备工艺简化,制备效率高、制备成本低。
搜索关键词: 一种 高纯 拟薄水铝石 制备 方法
【主权项】:
1.一种高纯拟薄水铝石,其特征在于,该拟薄水铝石的m和n满足1.4≤m≤1.8,2.0≤n≤2.5,其中m=D(140)/D(120),n=D(200)/D(120),所述D(140)表示拟薄水铝石的XRD谱图中140峰对应晶面的晶粒大小,所述D(120)表示拟薄水铝石的XRD谱图中120峰对应晶面的晶粒大小,所述D(200)表示拟薄水铝石的XRD谱图中200峰对应晶面的晶粒大小,根据Scherrer晶粒度测定公式:计算不同晶面的晶粒大小,Dhkl-垂直晶面hkl方向的平均厚度;k-衍射峰形状常数,Scherrer推导公式确定为0.89;βhkl-衍射峰半高宽,βhkl=B-b,B-实验测得的样品衍射峰半高宽;b-仪器致宽度,用晶粒度大于200nm样品与同样实验条件下测得的衍射峰的宽度(本实验中以99%325mesh的标准硅进行测定当28.2751°时b=0.1559)。λ——衍射光线波长(0.15046nm)。
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