[发明专利]非挥发性电阻转变存储器无效

专利信息
申请号: 201110022467.2 申请日: 2011-01-20
公开(公告)号: CN102610746A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 王建国
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种非挥发性电阻转变存储器包括下电极;在所述下电极上形成的介质层;形成于所述介质层上的阻挡层;以及形成于所述阻挡层上的上电极。本发明提供的非挥发性电阻转变存储器,能避免电极元素与固态电解质之间的离子交换,防止构成导电通道的细丝自发的形成和破灭,提高电阻转变存储器的数据保持能力。
搜索关键词: 挥发性 电阻 转变 存储器
【主权项】:
一种非挥发性电阻转变存储器,其特征在于,包括:下电极;在所述下电极上形成的介质层;形成于所述介质层上的阻挡层;以及形成于所述阻挡层上的上电极。
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