[发明专利]固态成像器件和电子装置有效
申请号: | 201110023676.9 | 申请日: | 2011-01-21 |
公开(公告)号: | CN102157536A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 城户英男;山本敦彦;山田明大 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 周少杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态成像器件,其包括像素区域,其中二维地安排在多个光电转换部分中共享像素晶体管的共享像素。在共享像素的列方向上分开地安排共享的像素晶体管,安排相邻的共享像素之间共享的像素晶体管,以便为水平反转或/和垂直交叉,并且沿着列方向安排连接到共享像素中的浮置扩散部分、重置晶体管的源极和放大晶体管的栅极的连接布线。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固态成像器件,其包括像素区域,其中二维地安排在多个光电转换部分中共享像素晶体管的共享像素,其中:在所述共享像素的列方向上分开地安排共享的像素晶体管,安排在相邻的共享像素之间共享的像素晶体管,以便为水平反转或/和垂直交叉,并且沿着列方向安排连接到共享像素中的浮置扩散部分、重置晶体管的源极和放大晶体管的栅极的连接布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的