[发明专利]适应用于UHF RFID无源标签芯片的差分结构单栅存储器有效

专利信息
申请号: 201110024529.3 申请日: 2011-01-21
公开(公告)号: CN102122951A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 庄奕琪;李小明;郎卫义;吴赞进;刘伟峰 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种用于UHF RFID无源标签芯片的差分结构单栅非易失性存储器,主要解决现有双栅存储器与标准CMOS工艺不兼容的问题。它由多个完全相同的存储单元组成,每个存储单元包括两个完全相同的模块,每个模块包括耦合晶体管、编程晶体管、擦除晶体管、译码晶体管、耦合端子、编程端子、擦除端子、译码端子和数据输出端子;每个模块中的耦合晶体管、编程晶体管和擦除晶体管三管的栅极并接,作为浮栅;两个模块的编程端子连接作为存储单元的编程端子(PR),两个模块的擦除端子连接作为存储单元的擦除端子(ER),两个模块的译码端子连接作为存储单元的译码端子(DE)。本发明与标准CMOS工艺兼容,具有低成本,高可靠性的优点。
搜索关键词: 适应 用于 uhf rfid 无源 标签 芯片 结构 存储器
【主权项】:
一种适应用于UHF RFID无源标签芯片的差分结构单栅存储器,包括多个存储单元,其特征在于,每个存储单元包括两个完全相同的模块(A)和模块(B),每个模块包括:擦除晶体管,编程晶体管,译码晶体管以及耦合晶体管;模块(A)的耦合晶体管(A40)的源极、漏极与其衬底连接在一起,构成耦合端子(ACO);模块(B)的耦合晶体管(B40)的源极、漏极与衬底连接在一起,构成耦合端子(BCO);模块(A)的擦除晶体管(A10)的源极、漏极与衬底连接在一起,构成擦除端子(AER);模块(B)的擦除晶体管(B10)的源极、漏极与衬底连接在一起,构成擦除端子(BER);模块(A)的编程晶体管(A20)的源极与衬底连接在一起,构成编程端子(APR);模块(B)的编程晶体管(B20)的源极与衬底连接在一起,构成编程端子(BPR);模块(A)的译码晶体管(A30)的源极和衬底分别与编程晶体管(A20)的漏极和衬底连接,译码晶体管(A30)的漏极作为数据输出端子(ADO),输出数据;模块(B)的译码晶体管(B30)的源极和衬底分别与编程晶体管(B20)的漏极和衬底连接,译码晶体管(B30)的漏极作为数据输出端子(BDO),输出数据;译码晶体管(A30)的栅极作为译码端子(ADE);译码晶体管(B30)的栅极作为译码端子(BDE);模块(A)的耦合晶体管(A40)、编程晶体管(A20)和擦除晶体管(A10)三管的栅极并接,形成浮栅(A0);模块(B)的耦合晶体管(B40)、编程晶体管(B20)和擦除晶体管(B10)三管的栅极并接,形成浮栅(B0);模块(A)的编程端子(APR)与模块(B)的编程端子(BPR)连接在一起作为存储单元的编程端子(PR),模块(A)的擦除端子(AER)与模块(B)的擦除端子(BER)连接在一起作为存储单元的擦除端子(ER),模块(A)的译码端子(ADE)与模块(B)的译码端子(BDE)连接在一起作为存储单元的译码端子(DE)。
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