[发明专利]芯片堆叠结构与其芯片堆叠方法无效
| 申请号： | 201110025062.4 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456674A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吴明哲 | 申请（专利权）人： | 环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片堆叠结构与其芯片堆叠方法，此芯片堆叠结构包括一第一芯片与一第二芯片，第二芯片堆叠在第一芯片之上。第一芯片的顶面具有多个金属垫，侧面具有多个沟槽，金属垫对应连接于沟槽的上开口端。第二芯片的侧面具有多个沟槽且位置分别对应于第一芯片侧面的沟槽。导电薄膜形成第一芯片与第二芯片的沟槽中与金属垫上以电性连接第一芯片与第二芯片。此芯片堆叠结构可以简化工艺与提高工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 堆叠 结构 与其 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片堆叠结构，其特征在于该芯片堆叠结构包括：一第一芯片，具有一第一沟槽与一第一金属垫，该第一沟槽配置于该第一芯片的侧面，该第一金属垫配置于该第一芯片的顶面且连接于该第一沟槽的上开口端；以及一第二芯片，堆叠在该第一芯片之上，该第二芯片具有一第二沟槽，该第二沟槽配置于该第二芯片的侧面；其中，该第一沟槽与该第二沟槽对位配置以形成一连接沟槽，且一导电薄膜形成于该连接沟槽中与该第一金属垫上以连接该第一芯片与该第二芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司，未经环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110025062.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：荧光标记的O6-苄基鸟嘌呤及其制备和应用
- 下一篇：发动机的启动装置
- 同类专利
- 专利分类
