[发明专利]只读存储器单元阵列

摘要

一种只读存储器单元阵列，包括多个鳍式有源区、多个栅极以及多个只读存储器单元。鳍式有源区形成于半导体基板上，沿着第一方向延伸。栅极形成于鳍式有源区，沿着第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。只读存储器单元由鳍式有源区以及栅极形成，并且编码只读存储器单元，使得只读存储器单元的第一子集中每一个具有源极电性连接至较低电源供应线以及只读存储器单元第二子集中每一个具有电性绝缘的源极。第一子集的每一只读存储器单元，包括漏极接触垫具有第一接触垫区域，以及源极接触垫具有第二接触垫区域，第二接触垫区域至少大于第一接触垫区域百分之三十。本发明可降低接触垫阻抗以及改善良率。

主权项

一种只读存储器单元阵列，包括：多个鳍式有源区，形成于一半导体基板上，并且沿着一第一方向延伸；多个栅极，形成于上述鳍式有源区，并且沿着一第二方向延伸，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及多个只读存储器单元，由上述鳍式有源区以及上述栅极形成，编码上述只读存储器单元，使得上述只读存储器单元的一第一子集中的每一个具有一源极电性连接至一较低电源供应线以及上述只读存储器单元的一第二子集中的每一个具有电性绝缘的一源极，其中上述第一子集的每一上述只读存储器单元，包括一漏极接触垫具有一第一接触垫区域以及一源极接触垫具有一第二接触垫区域，上述第二接触垫区域至少大于上述第一接触垫区域百分之三十。