[发明专利]一种射频功率放大器多芯片模组及其生成方法有效
| 申请号： | 201110025537.X | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102610595A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 马平西;张黎阳;赵骞 | 申请（专利权）人： | 国民技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频功率放大器多芯片模组及其生成方法，其中射频功率放大器多芯片模组包括CMOS裸片和连接在该CMOS裸片之后的GaAs裸片和/或SiGe裸片，所述CMOS裸片中包含CMOS前级功率放大器，所述GaAs裸片中包含GaAs后级功率放大器，所述SiGe裸片中包含SiGe后级功率放大器。本发明提供的射频功率放大器多芯片模组及其生成方法，能够在降低成本的基础上使射频功率放大器具有较高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 芯片 模组 及其 生成 方法 | ||
【主权项】：
一种射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，包括CMOS裸片和连接在该CMOS裸片之后的GaAs裸片和/或SiGe裸片，所述CMOS裸片中包含CMOS前级功率放大器，所述GaAs裸片中包含GaAs后级功率放大器，所述SiGe裸片中包含SiGe后级功率放大器。
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