[发明专利]一种射频功率放大器多芯片模组及其生成方法有效
申请号: | 201110025537.X | 申请日: | 2011-01-24 |
公开(公告)号: | CN102610595A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 马平西;张黎阳;赵骞 | 申请(专利权)人: | 国民技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L21/98 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种射频功率放大器多芯片模组及其生成方法,其中射频功率放大器多芯片模组包括CMOS裸片和连接在该CMOS裸片之后的GaAs裸片和/或SiGe裸片,所述CMOS裸片中包含CMOS前级功率放大器,所述GaAs裸片中包含GaAs后级功率放大器,所述SiGe裸片中包含SiGe后级功率放大器。本发明提供的射频功率放大器多芯片模组及其生成方法,能够在降低成本的基础上使射频功率放大器具有较高的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 功率放大器 芯片 模组 及其 生成 方法 | ||
【主权项】:
一种射频功率放大器多芯片模组,其特征在于,包括CMOS裸片和连接在该CMOS裸片之后的GaAs裸片和/或SiGe裸片,所述CMOS裸片中包含CMOS前级功率放大器,所述GaAs裸片中包含GaAs后级功率放大器,所述SiGe裸片中包含SiGe后级功率放大器。
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