[发明专利]氮化物半导体激光装置无效
| 申请号： | 201110025560.9 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102130424A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 佐藤智也;中森达哉;冈口贵大;高山彻;长谷川义晃 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体激光装置，其即便使激光束的功率高输出化，也能够使FFP(远视野图像)特性稳定且广角化。其具有：在n型复合层(2)之上形成的活性层(4)；形成在活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部(6a)和位于该脊形部的两侧方的平坦部(6b)的p型复合层(6)；形成在两平坦部之上，且具有比p型复合层大的光吸收系数的光吸收层(9)；在包含光吸收层的、p型复合层的上表面及脊形部的侧面形成的绝缘膜(8)。光吸收层具有设置在射出端面侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域、设置在射出端面的相反侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，其中Di1和Di2的关系满足Di1＜Di2。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体激光装置，其特征在于，具有：形成在基板之上的第一导电性复合层；形成在所述第一导电性复合层之上的活性层；形成在所述活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部和位于该脊形部的两侧方的平坦部的第二导电性复合层；分别形成在各所述平坦部之上，且具有相对于振荡波长比所述第二导电性复合层大的光吸收系数的光吸收层；形成在包含所述光吸收层的、所述第二导电性复合层的所述平坦部及所述脊形部的侧面的绝缘膜，所述光吸收层具有：设置在射出端面侧，且从作为所述脊形部的长度方向中的线对称轴的脊形部中心到所述光吸收层的所述脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域；与所述第一区域连续或隔有间隔地设置在所述射出端面的相反侧，且从所述脊形部中心到所述光吸收层的所述脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，所述Di1和所述Di2的关系满足Di1＜Di2。
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