[发明专利]薄膜磁传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110025835.9 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102135605A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 小山惠史;今枝香织 | 申请（专利权）人： | 大同特殊钢株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜磁传感器，包括：具有巨磁阻效应的巨磁阻膜以及薄膜磁轭，每一个薄膜磁轭均由软磁性材料构成并且与巨磁阻膜的两端电连接；其中每一个薄膜磁轭均包括外磁轭和内磁轭，所述外磁轭由第一软磁性材料构成并且设置在相对于巨磁阻膜的外侧；所述内磁轭由第二软磁性材料构成并且设置在巨磁阻膜和外磁轭之间；第一软磁性材料由结晶性软磁性材料或微结晶性软磁性材料构成；该薄膜磁传感器通过如下方式获得：(1)依次形成各个外磁轭、巨磁阻膜和各个内磁轭，以及(2)在形成巨磁阻膜之前进行热处理以改善各个外磁轭的软磁特性；各个内磁轭的长度L2均满足下式(a)和式(b)：L2/t1≥1(a)；L2×100/(L1+L2)≤50(b)，其中，t1为各个外磁轭的厚度，L1为各个外磁轭的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜磁传感器，包括：具有巨磁阻效应的巨磁阻膜，以及薄膜磁轭，每一个所述薄膜磁轭均包含软磁性材料并且与所述巨磁阻膜的两端电连接，其中每一个所述薄膜磁轭均包括外磁轭和内磁轭，所述外磁轭包含第一软磁性材料并且设置在相对于所述巨磁阻膜的外侧；所述内磁轭包含第二软磁性材料并且设置在所述巨磁阻膜与所述外磁轭之间；其中所述第一软磁性材料包含结晶性软磁性材料或微结晶性软磁性材料；其中所述薄膜磁传感器是通过如下方式获得的：(1)依次形成各个所述外磁轭、所述巨磁阻膜和各个所述内磁轭，以及(2)在形成所述巨磁阻膜之前进行热处理以改善各个所述外磁轭的软磁特性；并且其中各个所述内磁轭的长度L2均满足下式(a)和式(b)：L2/t1≥1 (a)L2×100/(L1+L2)≤50(b)其中，t1为各个所述外磁轭的厚度，L1为各个所述外磁轭的长度。
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