[发明专利]太阳能电池结构无效
申请号: | 201110026719.9 | 申请日: | 2011-01-20 |
公开(公告)号: | CN102157571A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 陈钰君;赖忠威;陈宗保;陈人杰;吴振诚 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种太阳能电池结构,包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层、第一透明导电层、第一保护层依序地配置于基板的一第一侧。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层。第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧,且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。本发明透明导电层与保护层的堆栈结构可提供抗反射的作用,构成多层态样的抗反射涂层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池结构,其特征在于,包括:一基板;一第一半导体硅膜层,配置于该基板的一第一侧;一第一透明导电层,配置于该第一半导体硅膜层上;一第一保护层,配置于该第一透明导电层上,该第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分该第一透明导电层,且该第一保护层的材质为氮化硅;一第一金属电极,配置于该第一保护层的该些第一开口中;一第二半导体硅膜层,配置于该基板的一第二侧,且该第一侧与该第二侧相对;一第二透明导电层,配置于该第二半导体硅膜层远离该基板的一侧;以及一第二金属电极,配置于该第二透明导电层远离该基板的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的