[发明专利]激光加工方法及激光加工装置有效
| 申请号： | 201110027035.0 | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102172799A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 筬岛哲也;杉浦隆二;渥美一弘 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | B23K26/40 | 分类号： | B23K26/40;B23K26/06;B23K26/073;B28D5/00;H01L21/78;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在该激光加工方法中，使聚光点(P)上的激光(L)的截面形状为，垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。因此，形成在硅晶片(11)的内部的改质区域(7)的形状，由激光(L)的入射方向观看，则为垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。在加工对象物(1)的内部形成具有上述形状的改质区域(7)，则在以改质区域(7)为切断的起点切断加工对象物(1)之际，可抑制在切断面出现扭梳纹，可提升切断面的平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种激光加工方法，通过使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光，而沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域，其特征在于：对一条所述切断预定线形成多列的所述改质区域的情况下，在将所述改质区域形成在距所述加工对象物的激光入射面较浅的位置上时，将在聚光点上具有垂直于所述切断预定线的方向的最大长度比平行于所述切断预定线的方向的最大长度短的截面形状的所述激光作为规定的激光进行照射，从而形成所述改质区域，并将该改质区域作为规定的改质区域，在将所述改质区域形成在距所述激光入射面较深的位置上时，与将所述改质区域形成在距所述激光入射面较浅的位置时相比，将在所述聚光点上具有垂直于所述切断预定线的方向的最大长度较长的截面形状的所述激光进行照射，从而形成所述改质区域。
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