[发明专利]单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置无效
申请号: | 201110027377.2 | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102605372A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 程鹏飞;龚双龙;全余生 | 申请(专利权)人: | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;C30B33/10;H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 夏平 |
地址: | 214203 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置,它包括刻蚀槽(1)和多个滚轮(3),刻蚀槽(1)内装有刻蚀液(2),多个滚轮(3)均安装在刻蚀槽(1)内,浸没在刻蚀液(2)中。本发明使用时,不需要在刻蚀前对电池片正面进行掩膜保护,电池片在腐蚀液中浸入的深度及刻蚀时间可以通过滚轮的转速进行调节,使用该装置生产的单晶硅太阳能电池片的工业化平均转换效率达到18.5%以上。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 太阳能电池 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
一种单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置,其特征是它包括刻蚀槽(1)和多个滚轮(3),刻蚀槽(1)内装有刻蚀液(2),多个滚轮(3)均安装在刻蚀槽(1)内,浸没在刻蚀液(2)中。
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