[发明专利]可关断功率半导体器件阀及其串联式拓扑结构

摘要

本发明公开了一种可关断功率半导体器件阀及其串联式拓扑结构。可关断功率半导体器件阀由电流正向入口、电流反向入口之间相互并联的两个可关断功率半导体器件及电容、关断功率半导体器件各自对应反向并联的二极管构成。多个可关断功率半导体器件阀，依次串联构成串联式的拓扑结构。本发明所采用的可关断功率半导体器件不仅限于IGBT，还可以采用其它类型的可关断功率半导体器件；本发明的串联式拓扑结构允许各可关断功率半导体器件阀中的可关断功率半导体器件导通或关断的时间有差异；整个串联式拓扑结构的功能可以等效为一个可关断功率半导体器件，端电压过冲通过电容吸收。

主权项

可关断功率半导体器件阀，包括有电流正向入口、电流反向入口，其特征在于：所述电流正向入口、电流反向入口之间接有相互并联的两个可关断功率半导体器件，其中一个可关断功率半导体器件正向导通，另一个可关断功率半导体器件反向导通，且反向导通的可关断功率半导体器件串接有电容，每个可关断功率半导体器件上还分别各自反向并联有二极管。