[发明专利]具有正温度系数特性的过电流保护元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110027804.7 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102074324A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘正平;王军;李从武 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C7/13 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有正温度系数特性的过电流保护元件及其制造方法，包括PTC芯片、PTC芯片二面的电极以及两个引出电极，在所述过电流保护元件的PTC芯片区域整体外侧设有密闭的保护膜。在导电性聚合物层的两边复合金属箔电极形成复合芯片，复合芯片经过辐照，然后冲切成一定形状和大小的小片子，再在小片子两边焊接上镍片作为引出电极，最后在PTC芯片区域形成一定厚度的密闭的保护膜，露出引出电极而形成。优点是：本发明在PTC芯片区域形成一定厚度的密闭的保护膜可以显著提高器件的连接强度，过电流保护元件不仅具有很低的室温电阻，还具有很高的连接强度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度 系数 特性 电流 保护 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有正温度系数特性的过电流保护元件，包括PTC芯片、PTC芯片二面的电极以及两个引出电极，其特征在于：在所述过电流保护元件的PTC芯片区域整体外侧设有密闭的保护膜。
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