[发明专利]采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺

摘要

一种采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺，首先，在电池片受光面PECVD完成后，在电池片背光面上印刷一层铝浆；然后，进行烘烤，去除银浆中溶剂；最后，用激光照射使铝快速熔化并扩散至电池片基体中，形成P+层。本发明中，采用激光加热铝浆，在激光的作用下铝全扩散至电池片基体之中，不会出现传统的铝背场烧结后电池片翘曲的现象；同时，掺杂的浓度反而较传统的铝背场更高，形成的发射极也比传统的铝背场效果好；采用本发明的工艺后，电池片的工业化生产平均转换效率达到18.7%以上。

主权项

一种采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺，其特征是它包括以下步骤：（a）、在使用等离子体增强化学气相沉积法PECVD在电池片的受光面生长阻挡层之后，在电池片背光面上印刷一层铝浆；（b）、将印刷有铝浆的电池片进行烘烤，去除铝浆中溶剂；（c）、用激光照射加热，使铝浆层快速熔化并扩散至电池片基体中，形成P+层。