[发明专利]基于氧化分凝的埋沟结构硅基围栅晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110029601.1 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102157556A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 邹积彬;黄如;王润声;杨庚雨;艾玉洁;樊捷闻 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道区上层和沟道区下层掺杂有类型相反的杂质，沟道区上层外覆盖一层栅介质区，栅区位于栅介质的外层。本发明基于氧化分凝技术制备出适合应用在高速电路中的埋沟结构硅基围栅晶体管，避免了围栅器件多晶向带来的迁移率下降和严重的随机电报噪声现象。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 结构 硅基围栅 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种埋沟结构硅基围栅晶体管，包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其特征在于，所述沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道区上层和沟道区下层掺杂有类型相反的杂质，沟道区上层外覆盖一层栅介质区，栅区位于栅介质的外层。
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