[发明专利]一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管有效
| 申请号： | 201110029706.7 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102157557A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 邹积彬;黄如;王润声;杨庚雨;艾玉洁;樊捷闻 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 器件 高压 横向 双向 扩散 晶体管 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，所述沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，所述源端外延区位于源区和沟道区之间，所述漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。
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