[发明专利]一种增强硅基薄膜电致发光的方法

摘要

本发明公开了一种增强硅基薄膜电致发光的方法，包括如下步骤：在P型硅片正面上沉积一层银薄膜，然后进行热退火，在P型硅片正面上形成银岛膜；在银岛膜上沉积富硅氮化硅薄膜，然后在富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜表面沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，在P型硅片背面沉积一层Al作为背面电极，制得硅基薄膜发光器件。本发明方法制备的硅基薄膜器件的电致发光强度显著强于普通硅薄膜器件的电致发光强度；器件能工作在更高的输入功率下，不易被击穿。

主权项

一种增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)用电子束蒸发或直流磁控溅射的方法，在经过化学清洗和氧化层去除后的P型硅片的正面上沉积一层Ag薄膜，然后在氮气或惰性气氛保护下快速热退火制得Ag岛膜，退火温度为300‑500℃，退火时间为1‑10min；所述的P型硅片的正面为P型硅片的抛光面；(2)采用氨气和以氮气稀释的硅烷的混合气体作为先驱气体，用等离子增强化学气相沉积的方法，在步骤(1)制得的Ag岛膜上沉积一层富硅氮化硅薄膜，然后用电子束蒸发的方法在所述的富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；(3)用直流磁控溅射的方法，在所述的氧化硅薄膜上沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，然后用电子束蒸发的方法在所述的P型硅片的背面沉积一层Al作为背面金属电极，制得硅基薄膜发光器件。