[发明专利]用于高电压场效应晶体管的栅蚀刻工艺

摘要

本公开提供了用于高电压场效应晶体管的栅蚀刻工艺。在一个实施例中，一种方法包括通过掩蔽层的第一和第二开口以基本上各向同性的方式蚀刻第一和第二介电区域以形成第一和第二沟槽。该第一和第二介电区域置于半导体材料的平台的相侧，该平台具有分别邻近该第一和第二介电区域的第一和第二侧壁。该第一和第二沟槽内的第一和第二介电区域随后以基本上各向同性的方式被蚀刻以露出该第一和第二侧壁。栅极氧化物形成于该平台的第一和第二侧壁上。应该强调，提供该摘要的目的仅仅是为了满足要求提供摘要以使得研究人员或其他读者能够快速确定该技术公开的主题的规则。

主权项

一种栅极蚀刻处理方法，包括：蚀刻第一导电类型的半导体材料以形成第一和第二沟槽，所述第一和第二沟槽限定出具有第一和第二侧壁的平台；形成分别覆盖所述第一和第二侧壁的第一和第二介电层；在掩蔽层中形成第一和第二开口，所述第一和第二开口分别置于在所述平台的相对侧上的第一和第二介电区域上，所述掩蔽层具有在所述第一和第二开口之间的覆盖所述平台的部分，所述部分交叠与所述平台顶面一致的所述第一和第二侧壁的每个边缘并超出所述每个边缘一段距离；通过相应的第一和第二开口来各向异性地蚀刻所述第一和第二介电区域，以创建第一和第二栅极沟槽；各向同性地蚀刻所述第一和第二栅极沟槽中的所述第一和第二介电区域，以除去所述第一和第二侧壁部分；在所述第一和第二介电区域的各向同性蚀刻之后，在所述平台的所述第一和第二侧壁的每个上热形成栅极氧化物；以及在所述第一和第二栅极沟槽中分别形成第一和第二栅极构件，所述第一和第二栅极构件包括多晶硅并且通过所述栅极氧化物分别与所述第一和第二侧壁绝缘。