[发明专利]光电转换元件的制造方法

摘要

本发明提供了一种光电转换元件的制造方法。所公开的方法是一种具有形成于基板上的多层结构的光电转换元件(1)的制造方法，所述多层结构包括下电极(20)、由化合物半导体层制得的光电转换层(30)、由化合物半导体层制得的n型缓冲层(40)、和透明导电层(60)。制备作为含有n型掺杂元素；氨和铵盐中的至少一种；和硫脲的水溶液的反应液；通过将包括光电转换层(30)的基板(10)浸入温度被控制到20℃～45℃的反应液(90)中来将n型掺杂物扩散至光电转换层(30)中；和通过将经历了所述扩散步骤的包括光电转换层(30)的基板(10)浸入温度被控制到70℃～95℃的反应液(90)中来将缓冲层(40)沉积在光电转换层(30)上。

主权项

一种具有形成于基板上的多层结构的光电转换元件的制造方法，所述多层结构包括下电极、由化合物半导体层制得的光电转换层、由化合物半导体层制得的n型缓冲层、和透明导电层，所述方法包括：制备反应液的步骤，所述反应液包含含有n型掺杂元素；氨和铵盐中的至少一种；和硫脲的水溶液；扩散步骤，所述扩散步骤通过将包括下电极和形成于下电极上的光电转换层的基板浸入被控制到20℃～45℃的预定温度的所述反应液中来将所述n型掺杂物扩散至所述光电转换层中；和沉积步骤，所述沉积步骤通过将经历了所述扩散步骤的包括下电极和光电转换层的基板浸入被控制到70℃～95℃的预定温度的所述反应液中来将所述缓冲层沉积在光电转换层上。