[发明专利]半导体器件和形成垂直互连的薄外形WLCSP的方法

摘要

半导体晶圆具有多个第一半导体小片。第二半导体小片安装在第一半导体小片上。第一半导体小片的活性表面定向成朝向第二半导体小片的活性表面。密封剂沉积在第一半导体小片和第二半导体小片上。第二半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。导电柱绕第二半导体小片形成。TSV可形成为穿过第一半导体小片。互连结构形成在第二半导体小片的背面、密封剂和导电柱上。互连结构与导电柱电连接。第一半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。热沉或屏蔽层可形成在第一半导体小片的背面上。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有多个第一半导体小片的半导体晶圆，所述第一半导体小片均具有活性表面；将第二半导体小片安装到所述第一半导体小片上，所述第一半导体小片的所述活性表面定向成朝向所述第二半导体小片的活性表面；将密封剂沉积在所述第一半导体小片和所述第二半导体小片上；移除所述第二半导体小片的与所述活性表面相对的背面的一部分；绕所述第二半导体小片形成导电柱；在所述第二半导体小片的所述背面、密封剂和导电柱上形成互连结构，所述互连结构与所述导电柱电连接；移除所述第一半导体小片的与所述活性表面相对的背面的一部分；和将所述半导体晶圆分割为单独的半导体器件。