[发明专利]形成多晶硅电阻装置的方法以及半导体装置

摘要

本发明提供形成多晶硅电阻装置的方法以及半导体装置。在一实施例中，该方法包括在基板第一区形成虚设栅极堆叠，其中虚设栅极堆叠具有虚设栅极堆叠厚度。在基板第二区形成多晶硅电阻，其中多晶硅电阻具有多晶硅电阻厚度，此距离小于虚设栅极堆叠的厚度。在基板第一区中注入掺质以形成源极/漏极区。在多晶硅电阻中注入掺质。在虚设栅极堆叠及多晶硅电阻上形成层间介电层，使其平坦化，而暴露出虚设栅极堆叠而在多晶硅电阻上留下部分的层间介电层。以高介电常数金属栅极取代虚设栅极堆叠，并以层间介电层作为掩模，以保护多晶硅电阻。本发明可降低制造工艺的复杂性及花费。

主权项

一种形成多晶硅电阻装置的方法，包括：提供具有一第一区及一第二区的一基板；在该基板的该第一区上形成一虚设栅极堆叠，其中该虚设栅极堆叠具有一虚设栅极厚度延伸至该基板上方；在该基板的该第二区上形成一多晶硅电阻，其中该多晶硅电阻具有一多晶硅电阻厚度延伸至该基板上方，其小于该虚设栅极堆叠厚度；在该基板的该第一区中注入一掺质，而在该基板的该第一区中形成一源极区及一漏极区，并在该多晶硅电阻中注入该掺质；在该基板上的该虚设栅极堆叠上及该多晶硅电阻上形成一层间介电层；平坦化该层间介电层，因而暴露出该虚设栅极堆叠，而留下在该多晶硅电阻上的部分该层间介电层；以及以一高介电常数金属栅极取代该虚设栅极堆叠，并在以该高介电常数金属栅极取代该虚设栅极堆叠时，利用该多晶硅电阻上的该部分层间介电层作为一掩模保护该多晶硅电阻。