[发明专利]一种γ射线探测器晶体阵列的制作方法无效
申请号: | 201110031469.8 | 申请日: | 2011-01-29 |
公开(公告)号: | CN102176335A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 张辉;居小平;王涛 | 申请(专利权)人: | 江苏中惠医疗科技股份有限公司 |
主分类号: | G21K4/00 | 分类号: | G21K4/00;B28D5/00;G01T1/202 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种γ射线探测器晶体阵列的制作方法,涉及γ射线探测成像技术领域。先将原始的晶体材料切割形成整块的矩形原始晶体块,并对矩形原始晶体块进行机械表面处理;然后通过粘合剂将光导介质粘合在原始晶体块的下表面;再对原始晶体块进行切割,形成晶体条阵列;并对阵列式排列的各晶体条进行表面抛光处理;再在各晶体条之间的间隙进行反光材料的镀膜或填充处理;最后对所述晶体条阵列的上表面和四周表面进行反光材料的镀膜或包裹处理。本发明降低了加工难度,提高成品率,减少了传统工艺中手工制作的成分,更加方便地实现复杂结构的晶体阵列,如具有响应深度信息的多层错位结构的晶体阵列等。 | ||
搜索关键词: | 一种 射线 探测器 晶体 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种γ射线探测器晶体阵列的制作方法,其特征在于包括以下步骤: 1)将原始的晶体材料切割形成整块的矩形原始晶体块,并对矩形原始晶体块进行机械表面处理;2)通过粘合剂将光导介质粘合在原始晶体块的下表面;所述光导介质与原始晶体块的粘合面不小于粘合的原始晶体块的该截面;3)对原始晶体块进行切割,形成晶体条阵列;4)对阵列式排列的各晶体条进行表面抛光处理;5)在各晶体条之间的间隙进行反光材料的镀膜或填充处理;6)对所述晶体条阵列的上表面和四周表面进行反光材料的镀膜或包裹处理。
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