[发明专利]金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法有效
| 申请号： | 201110032447.3 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102175919A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张昊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，该方法包括测量金属硅化物薄膜的第一电阻，以及两引脚之间的寄生电阻，通过将所述第一电阻减去所述寄生电阻得到金属硅化物薄膜的实际电阻，由于去除了寄生电阻，因而提高了金属硅化物薄膜的电阻模型精度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 薄膜 电阻 模型 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，其中，所述金属硅化物薄膜制备在半导体集成电路的多晶硅栅上，所述半导体集成电路包括多层金属互连线，其特征在于，该方法包括如下步骤：将所述金属硅化物薄膜的相对两端分别用第一金属线连接至两引脚上，测量所述两引脚之间的第一电阻，其中，所述第一金属线为所述多层金属互连线中的一层金属互连线；将所述两引脚短路，测量所述两引脚之间的寄生电阻；将所述第一电阻减去所述寄生电阻，得到所述金属硅化物薄膜的实际电阻。
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