[发明专利]光电装置及其制造方法无效
申请号: | 201110032653.4 | 申请日: | 2011-01-30 |
公开(公告)号: | CN102237440A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 明承烨;朴俊亨 | 申请(专利权)人: | 韩国铁钢株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/048;H01L31/05 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;邬玥 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及光电装置及其制造方法,该方法包括以下步骤:在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极;形成用来覆盖所述第二电极的绝缘层;形成沟槽线,即形成第一沟槽线和第二沟槽线以使所述第二电极暴露在所述第二电极上的所述绝缘层上,且在所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元;形成导电性母线,将导电物质填充在所述第一沟槽线和第二沟槽线以形成第一导电性母线和第二导电性母线。 | ||
搜索关键词: | 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电装置的制造方法,该方法包括下述步骤:在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极;形成覆盖所述第二电极的绝缘层;在所述第二电极上的所述绝缘层上形成第一沟槽线和第二沟槽线而使所述第二电极暴露或不暴露,且所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元;以及在所述第一沟槽线和第二沟槽线填充导电物质以形成第一导电性母线和第二导电性母线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的