[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110032751.8 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102142426A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 松村明 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有即使当对其施加应力时也无电阻变化的结构。该半导体器件在钝化膜与最上层铝互连之间的区域中具有金属电阻器层。这使得可以实现具有由于在封装步骤中或者在封装步骤之后出现的模压应力所致的小的电阻变化的高精度电阻器，并因此使得可以形成高精度模拟电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一层间绝缘膜，其置于衬底之上；多个第一虚层，其置于所述第一层间绝缘膜之上，布置成在第一方向中在其任意相邻两个层之间具有预定间隔，并且在与所述第一方向垂直的第二方向中延伸；第二层间绝缘膜，其覆盖所述第一虚层并且具有平坦化表面；以及多个金属电阻器层，其置于所述第二层间绝缘膜之上，并且在所述第一方向中延伸。
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