[发明专利]一种高利用率的平面磁控溅射靶有效
| 申请号： | 201110033285.5 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102071403A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李志荣;李志方;罗志明;李秋霞 | 申请（专利权）人： | 东莞市汇成真空科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 周克佑 |
| 地址： | 523820 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高利用率的平面磁控溅射靶，包括靶材和磁体组件，其中靶材固定，磁体组件设有驱动机构带动可相对于靶材运动。当磁体组件从平面靶宽度方向往复不己时，相对应地磁体组件的磁体在靶材表面所产生的“栱型”磁场在靶材表面来回移动扫描，在真空溅射镀膜时，气体辉光放电強烈的区域在靶面上来回扫描，在整个靶面上大部分面积都参与了溅射刻蚀，导致刻蚀区变宽而相对平坦，不会产生局部固定的“V”型刻蚀沟，大大地提高了靶材利用率。同时，强烈气体辉电放电区在靶面上大范围移动，相对发热区扩大，热量不集中在某个固定区域，热交换面积大了，冷却水带走热量更容易和充分，靶面温度有效地降低，辐射热大幅度減少，有利于实现低温沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用率 平面 磁控溅射 | ||
【主权项】：
一种高利用率的平面磁控溅射靶，包括靶材和磁体组件，其特征是：所述的磁体组件和靶材之间可相对运动。
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