[发明专利]相变存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110033438.6 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157685A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;夏梦姣;饶峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-SbxTe1-x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；对Si-SbxTe1-x材料层及SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。相较于现有技术，本发明提供的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料是由微晶态的Si和相变材料SbxTe1‑x复合而成，其中0.1≤x≤0.9。
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