[发明专利]在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110033515.8 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102169887B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | G·H·罗切尔特;G·M·格里瓦纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法。电子器件可以包括晶体管的漏极区，其中，该漏极区具有第一导电类型。所述电子器件还可以包括晶体管的沟道区，其中，该沟道区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。该电子器件还可以包括具有第一导电类型的第一掺杂区，其中，该第一掺杂区从漏极区向沟道区延伸。该电子器件还可以包括具有第一导电类型的第二掺杂区，其中，该第二掺杂区设置在第一掺杂区与沟道区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 漏极区 之间 包括 掺杂 电子器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：晶体管的漏极区，其中，所述漏极区具有第一导电类型；所述晶体管的沟道区，其中，所述沟道区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；具有所述第一导电类型的第一掺杂区，其中，所述第一掺杂区从所述漏极区向所述沟道区延伸，并且其中所述第一掺杂区是所述电子器件的漂移区的主要部分；以及具有所述第一导电类型的第二掺杂区，其中，所述第二掺杂区设置在所述第一掺杂区与所述沟道区之间，其中所述第一掺杂区的峰值掺杂物浓度低于所述漏极区和所述第二掺杂区的峰值掺杂物浓度，并且其中所述电子器件包括功率晶体管。
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