[发明专利]有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件无效

专利信息
申请号: 201110033683.7 申请日: 2006-05-31
公开(公告)号: CN102161621A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 大江贵裕;川岛纪之;高桥保;菅野研一郎 申请(专利权)人: 索尼株式会社;国立大学法人北海道大学
主分类号: C07C69/76 分类号: C07C69/76;C07C255/52;C07C15/38;H01L51/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贾静环
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种有机半导体材料,由下面通式(1)表示的多并苯衍生物组成,通式(1)中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自满足下面(条件-A1)和(条件-A2):(条件-A1),R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10独立地是相同的取代基或不同的取代基,但是,R1、R4、R5、R6和R10不能同时为氢原子。(条件-A2),R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自是至少一种选自以下的取代基组的取代基:有取代基的碳原子数为1-20的脂族烃基、有取代基的芳族烃基、有取代基的配位芳基、羧基、氢化物、酯基、氰基、羟基、卤原子和氢原子。通式(1);本发明提供一种能在低温(例如,室温)溶解于有机溶剂并能适合采用涂布方法的有机半导体材料。
搜索关键词: 有机 半导体材料 有机半导体 薄膜 半导体器件
【主权项】:
1.一种有机半导体材料,由下面通式(2)表示的多并苯衍生物组成,在通式(2)中,n是0-20的整数,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自满足下面(条件-B1)和(条件-B2):通式(2)(条件-B1)R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8独立地是相同的取代基或不同的取代基,当n大于2时,通式(2)中存在的多个R5可以是相同的取代基或不同的取代基,通式(2)中存在的多个R8可以是相同的取代基或不同的取代基,且R1、R4、R5和R8不能同时为氢原子;(条件-B2)R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自是至少一种选自以下的取代基组的取代基:有取代基的碳原子数为1-20的脂族烃基、有取代基的芳族烃基、有取代基的配位芳基、羧基、氢化物、酯基、氰基、羟基、硫代羧基、二硫代羧基、磺酸基、亚磺酸基、次磺酸基、磺酰基、亚磺酰基、酰卤基、氨基甲酰基、酰肼基、酰亚胺基、酰胺基、脒基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、甲酰基、硫醛基、酰基、硫醇基、氨基、亚氨基、肼基、烷氧基、芳氧基、醚基、硫醚基、二硫醚基、甲硅烷基、甲锗烷基、甲锡烷基、膦基、硼烷基、卤原子和氢原子。
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