[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体器件上形成分隔线图案以及与分隔线图案的端部连接的分隔垫图案。在分隔线图案和分隔垫图案的侧壁上形成间隔物绝缘层。在间隔物绝缘层之间形成间隙填充层。形成第一切割掩摸图案以使分隔线图案与分隔垫图案之间的连接部分露出。使用第一切割掩摸图案作为掩摸移除与间隔物绝缘层相邻的分隔线图案和间隙填充层。形成包括第一图案和第二图案的第二切割掩摸图案。使用第二切割掩摸图案作为掩摸移除间隔物绝缘层以在半导体基板中形成栅极沟槽。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体基板上形成分隔线图案以及与所述分隔线图案的端部连接的分隔垫图案；在所述分隔线图案和所述分隔垫图案的侧壁上形成间隔物绝缘层；在所述间隔物绝缘层之间形成间隙填充层；形成第一切割掩摸图案以使所述分隔线图案与所述分隔垫图案之间的连接部分露出；使用所述第一切割掩摸图案作为掩摸移除与所述间隔物绝缘层相邻的所述分隔线图案和所述间隙填充层；形成包括第一图案和第二图案的第二切割掩摸图案，其中，所述第一图案与被所述第一切割掩摸图案露出的区域相邻并覆盖所述间隙填充层、与所述间隙填充层相邻的所述间隔物绝缘层、和与所述间隔物绝缘层相邻的所述分隔线图案的一部分，并且所述第二图案覆盖所述分隔线图案、与所述分隔线图案相邻的所述间隔物绝缘层、和与所述间隔物绝缘层相邻的所述间隙填充层的一部分；以及使用所述第二切割掩摸图案作为掩摸移除所述间隔物绝缘层以在所述半导体基板中形成栅极沟槽。